🚀 نقشه راه جدید سامسونگ برای حافظه؛ zHBM با جهش ۸ برابری در پهنای باند📌 سامسونگ در رویداد SEMICON 2026 در تایوان از برنامه‌هایش برای حافظه‌های هوش مصنوعی پرده برداشت.💾  حافظه‌های HBM5 با هدف دستیابی به دو برابر عملکرد بهتر و ۲۰ درصد افزایش بهره‌وری انرژی نسبت به HBM4E طراحی شده‌اند. همچنین مقاومت حرارتی در این نسل ۲۰ درصد کاهش یافته است. تراشه پایه (Base Die) این نسل به جای لیتوگرافی ۴ نانومتری، با فناوری ۲ نانومتری سامسونگ ساخته می‌شود.⚡️ حافظه انقلابی zHBM برخلاف HBM که در کنار شتاب‌دهنده قرار می‌گیرد، مستقیماً روی پردازنده مونتاژ می‌شود. این طراحی با کوتاه‌تر کردن مسیر انتقال داده، پهنای باند و کارایی را به شکل قابل توجهی افزایش می‌دهد. سامسونگ برای zHBM دستیابی به هشت برابر عملکرد خام و سه برابر بهره‌وری انرژی نسبت به HBM4E را هدف‌گذاری کرده است.💽 در بخش حافظه‌های ذخیره‌سازی، سامسونگ در حال توسعه فناوری zNAND-O است که هدف آن دستیابی به ۱۰ برابر چگالی بیت بیشتر نسبت به DRAM و ۷ برابر پهنای باند بالاتر است.🔗 در شهر سخت‌افزار بخوانید🆔@ShahrSakhtAfzar🚀 نقشه راه جدید سامسونگ برای حافظه؛ zHBM با جهش ۸ برابری در پهنای باند📌 سامسونگ در رویداد SEMICON 2026 در تایوان از برنامه‌هایش برای حافظه‌های هوش مصنوعی پرده برداشت.💾  حافظه‌های HBM5 با هدف دستیابی به دو برابر عملکرد بهتر و ۲۰ درصد افزایش بهره‌وری انرژی نسبت به HBM4E طراحی شده‌اند. همچنین مقاومت حرارتی در این نسل ۲۰ درصد کاهش یافته است. تراشه پایه (Base Die) این نسل به جای لیتوگرافی ۴ نانومتری، با فناوری ۲ نانومتری سامسونگ ساخته می‌شود.⚡️ حافظه انقلابی zHBM برخلاف HBM که در کنار شتاب‌دهنده قرار می‌گیرد، مستقیماً روی پردازنده مونتاژ می‌شود. این طراحی با کوتاه‌تر کردن مسیر انتقال داده، پهنای باند و کارایی را به شکل قابل توجهی افزایش می‌دهد. سامسونگ برای zHBM دستیابی به هشت برابر عملکرد خام و سه برابر بهره‌وری انرژی نسبت به HBM4E را هدف‌گذاری کرده است.💽 در بخش حافظه‌های ذخیره‌سازی، سامسونگ در حال توسعه فناوری zNAND-O است که هدف آن دستیابی به ۱۰ برابر چگالی بیت بیشتر نسبت به DRAM و ۷ برابر پهنای باند بالاتر است.🔗 در شهر سخت‌افزار بخوانید🆔@ShahrSakhtAfzar